Paul Berger, docente di ingegneria elettronica dell’OSU, e colleghi sono riusciti infatti a realizzare un diodo a effetto tunnel utilizzando una tecnica convenzionale nota come deposizione chimica da fase vapore (CVD).
“Il nostro obiettivo era quello di utilizzare solo gli strumenti che sono a disposizione di tutti i produttori di chip”, ha commentato Berger, che firma in proposito un articolo apparso sulla rivista "IEEE Electron Device Letters". “Abbiamo così ottenuto una tecnica che potrebbe essere usata per fabbricare dispositivi quantistici direttamente su chip al silicio, fianco a fianco con i normali circuiti e interruttori.”
Il dispositivo in questione è un diodo tunnel risonante interbanda (resonant interband tunneling diode, RITD), un dispositivo che permette di regolare all’interno di un circuito grandi intensità di corrente ma con tensioni molto limitate.
Finora i diodi RITD erano molto difficili da produrre a causa del loro contenuto di dopanti e della loro difficile collocazione all’interno del cristallo di silicio. Gli atomi di antimonio o di fosforo, per esempio, sono di grandi dimensioni rispetto a quelli di silicio, e non potendo trovare posto all’interno delle lacune naturali del cristallo di silicio, tendono a raccogliersi sulla superficie del chip.
Berger ha però scoperto che i dopanti del diodo RITD possono essere aggiunti mediante CVD in cui un gas trasporta gli elementi chimici verso la superficie di un wafer. La chiave della ricerca è stata l’individuazione delle opportune condizioni che permettono di portare i dopanti nel silicio.
In prospettiva, la possibilità di sfruttare i diodi RITD potrebbe portare alla realizzazione di microcircuiti estremamente densi su un chip, che consentirebbero a loro volta di immagazzinare in un’area estremamente limitata un’enorme quantità di dati con un minimo di spendio di energia.
Nessun commento:
Posta un commento